中走絲割鋁，縱觀國(guó)內(nèi)外關(guān)于小量程電容式壓力傳感器的報(bào)道，傳感器的空腔間隙和可動(dòng)極板厚度都很小；為了滿足小量程壓力測(cè)量對(duì)靈敏度和線性度的要求，在減薄壓敏極板厚度的同時(shí)會(huì)相應(yīng)縮小芯片尺寸。相關(guān)研究集中在傳感器制備工藝的改良、傳感器結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新以及測(cè)量電路的優(yōu)化三個(gè)方面。

中走絲割鋁，傳感器工藝改良，工藝上控制超薄膜片的內(nèi)應(yīng)力很難。為了解決這個(gè)問(wèn)題，多晶硅被選擇用來(lái)作為小量程MEMS電容式壓力傳感器的可動(dòng)極板材料。選用多晶硅有如下優(yōu)點(diǎn)：

典型的多晶硅是通過(guò)LPCVD(低壓化學(xué)氣相淀積)形成的，淀積厚度可以控制得很小，很容易形成超薄的可動(dòng)極板；

中走絲割鋁，經(jīng)過(guò)退火處理，多晶硅可以形成低應(yīng)力的薄膜，削弱可動(dòng)極板內(nèi)應(yīng)力對(duì)小量程測(cè)壓的影響；摻雜之后的多晶硅導(dǎo)電，使壓敏極板有固定電勢(shì)，無(wú)需引入額外的電極。此外，薄膜淀積工藝與犧牲層釋放工藝也被廣泛用來(lái)制作間隙很小的空腔。在此基礎(chǔ)之上，人們不斷摸索，以求工藝的合理與簡(jiǎn)化。